فاسٽ سوئچ Thyristor (اعلي معيار YC سيريز)

وصف

GE پيداوار جي معياري ۽ پروسيسنگ ٽيڪنالاجي متعارف ڪرايو ويو ۽ 1980s کان وٺي RUNAU اليڪٽرانڪس پاران ملازمت ڪئي وئي.مڪمل پيداوار ۽ جانچ جي حالت مڪمل طور تي يو ايس اي مارڪيٽ جي گهرج جي ضرورتن سان ٺهڪي اچي ٿي.چين ۾ thyristor جي پيداوار جي علمبردار جي طور تي، RUNAU Electronics آمريڪا، يورپي ملڪن ۽ عالمي صارفين کي رياستي پاور اليڪٽرانڪس ڊوائيسز جو فن مهيا ڪيو هو.اهو اعليٰ قابليت وارو آهي ۽ گراهڪن طرفان اندازو لڳايو ويو آهي ۽ ڀائيوارن لاءِ وڌيڪ وڏيون ڪاميابيون ۽ قيمتون پيدا ڪيون ويون آهن.

تعارف:

1. چپ

RUNAU Electronics پاران تيار ڪيل thyristor چپ، sintered alloying ٽيڪنالاجي استعمال ڪئي وئي آهي.Silicon ۽ molybdenum wafer خالص المونيم (99.999٪) جي اعلي خال ۽ تيز گرمي پد جي ماحول هيٺ alloying لاء sintered ڪيو ويو.sintering خاصيتن جي انتظاميه thyristor جي معيار کي متاثر ڪرڻ لاء اهم عنصر آهي.RUNAU Electronics جي ڄاڻ ان کان علاوه الاءِ جنڪشن ڊيپٿ، مٿاڇري جي برابري، الائي ڪيفيءَ سان گڏوگڏ مڪمل ڊفيوشن اسڪل، رنگ سرڪل پيٽرن، خاص دروازي جي جوڙجڪ کي منظم ڪرڻ لاءِ.ڊوائيس جي ڪيريئر جي زندگي کي گهٽائڻ لاءِ خاص پروسيسنگ پڻ استعمال ڪئي وئي آهي، انهي ڪري ته اندروني ڪيريئر جي بحالي جي رفتار تمام تيز ٿي وئي آهي، ڊوائيس جي ريورس وصولي چارج گھٽجي وئي آهي، ۽ سوئچنگ جي رفتار بهتر ٿي وئي آهي.اهڙيون ماپون تيز رفتار سوئچنگ خاصيتن کي بهتر ڪرڻ، رياستي خاصيتن، ۽ موجوده ملڪيت کي وڌائڻ لاء لاڳو ڪيون ويون آهن.thyristor جي ڪارڪردگي ۽ conduction آپريشن قابل اعتماد ۽ موثر آهي.

2. Encapsulation

molybdenum wafer ۽ بيروني پيڪيج جي برابري ۽ برابري جي سخت ڪنٽرول سان، چپ ۽ molybdenum wafer کي ٻاهرين پيڪيج سان مضبوط ۽ مڪمل طور تي ضم ڪيو ويندو.اهڙا سرج ڪرنٽ ۽ اعلي شارٽ سرڪٽ ڪرنٽ جي مزاحمت کي بهتر بڻائي سگهندا.۽ اليڪٽران evaporation ٽيڪنالاجي جي ماپ سلکان ويفر جي مٿاڇري تي ٿلهي ايلومينيم فلم ٺاهڻ لاءِ استعمال ڪئي وئي، ۽ مولبيڊينم جي مٿاڇري تي ٺهيل روٿينيم پرت حرارتي ٿڪ جي مزاحمت کي تمام گهڻو وڌائيندو، فاسٽ سوئچ thyristor جي ڪم جي زندگي جو وقت تمام گهڻو وڌايو ويندو.

ٽيڪنيڪل وضاحت

1. فاسٽ سوئچ thyristor مصر جي قسم جي چپ سان گڏ RUNAU Electronics پاران تيار ڪيل يو ايس اي معيار جي مڪمل طور تي قابليت واري مصنوعات مهيا ڪرڻ جي قابل.
2. I_GT، وي_GT۽ مان_H25 ℃ تي ٽيسٽ ويلز آهن، جيستائين ٻي صورت ۾ بيان نه ڪيو ويو آهي، ٻيا سڀئي پيرا ميٽرز T جي تحت ٽيسٽ ويلز آهن_jm;
3. I²t = آء²F SM×tw/2, tw= Sinusoidal اڌ موج موجوده بنيادي ويڪر.50Hz تي، I²t = 0.005I²FSM(A²س)؛
4. 60Hz تي: I_{ايف ايس ايم}(8.3ms) = آء_{ايف ايس ايم}(10ms) × 1.066، ٽي_j=T_j؛آء²t(8.3ms) = I²t(10ms)×0.943,T_j=T_jm

پيرا ميٽر: