پريس-پيڪ IGBT
پريس پيڪ IGBT (IEGT)
| ٽائيپ | Vڊي آر ايم V | Vآر آر ايم V | IT(AV)@80℃ A | ITGQM@CS الف / µF | ITSM@10ms kA | VTM V | VTO V | rT mΩ | Tوي جي ايم ℃ | Rthjc ℃/W | |
| CSG07E1400 | 1400 | 100 | 250 | 700 | 2 | 4 | ≤ 2.2 | ≤1.20 | ≤0.50 | 125 | 0.075 |
| CSG07E1700 | 1700 | 16 | 240 | 700 | 1.5 | 4 | ≤ 2.5 | ≤1.20 | ≤0.50 | 125 | 0.075 |
| CSG15F2500 | 2500 | 17 | 570 | 1500 | 3 | 10 | ≤ 2.8 | ≤1.50 | ≤0.90 | 125 | 0.027 |
| CSG20H2500 | 2500 | 17 | 830 | 2000 | 6 | 16 | ≤ 2.8 | ≤1.66 | ≤0.57 | 125 | 0.017 |
| CSG25H2500 | 2500 | 16 | 867 | 2500 | 6 | 18 | ≤3.1 | ≤1.66 | ≤0.57 | 125 | 0.017 |
| CSG30J2500 | 2500 | 17 | 1350 | 3000 | 5 | 30 | ≤ 2.5 | ≤1.50 | ≤0.33 | 125 | 0.012 |
| CSG10F2500 | 2500 | 15 | 830 | 1000 | 2 | 12 | ≤ 2.5 | ≤1.66 | ≤0.57 | 125 | 0.017 |
| CSG06D4500 | 4500 | 17 | 210 | 600 | 1 | 3.1 | ≤4.0 | ≤1.90 | ≤0.50 | 125 | 0.05 |
| CSG10F4500 | 4500 | 16 | 320 | 1000 | 1 | 7 | ≤3.5 | 1.9 | ≤0.35 | 125 | 0.03 |
| CSG20H4500 | 4500 | 16 | 745 | 2000 | 2 | 16 | ≤3.2 | ≤1.8 | ≤0.85 | 125 | 0.017 |
| CSG30J4500 | 4500 | 16 | 870 | 3000 | 6 | 16 | ≤4.0 | ≤ 2.2 | ≤0.60 | 125 | 0.012 |
| CSG40L4500 | 4500 | 16 | 1180 | 4000 | 3 | 20 | ≤4.0 | ≤ 2.1 | ≤0.58 | 125 | 0.011 |
نوٽ:D- ڊي سانآئوڊ پارٽ، اي-diode حصو کان سواء
روايتي طور تي، سولڊر رابطي IGBT ماڊلز کي لچڪدار ڊي سي ٽرانسميشن سسٽم جي سوئچ گيئر ۾ لاڳو ڪيو ويو.ماڊل پيڪيج هڪ طرفي گرمي جي خاتمي آهي.ڊوائيس جي طاقت جي صلاحيت محدود آهي ۽ سيريز ۾ ڳنڍڻ لاء مناسب ناهي، لوڻ هوا ۾ خراب زندگي، خراب وائيبريشن مخالف جھٽڪو يا حرارتي ٿڪ.
نئين قسم جي پريس-رابطي هاء پاور پريس-پيڪ IGBT ڊوائيس نه رڳو سولڊرنگ جي عمل ۾ خاليگي جي مسئلن کي مڪمل طور تي حل ڪري ٿو، سولڊرنگ مواد جي حرارتي ٿڪائي ۽ هڪ طرفي گرمي جي گھٽتائي جي گھٽ ڪارڪردگي پر مختلف اجزاء جي وچ ۾ حرارتي مزاحمت کي ختم ڪري ٿو، سائيز ۽ وزن گھٽائڻ.۽ خاص طور تي IGBT ڊوائيس جي ڪم ڪندڙ ڪارڪردگي ۽ اعتبار کي بهتر بڻائي ٿو.اهو لچڪدار ڊي سي ٽرانسميشن سسٽم جي اعلي طاقت، اعلي وولٹیج، اعلي معتبر ضرورتن کي پورو ڪرڻ لاء ڪافي مناسب آهي.
پريس-پيڪ IGBT پاران سولڊر رابطي جي قسم جو متبادل لازمي آهي.
2010 کان وٺي، Runau Electronics نئين قسم جي پريس-پيڪ IGBT ڊيوائس تيار ڪرڻ ۽ 2013 ۾ پيداوار کي ڪامياب ڪرڻ لاءِ وضاحت ڪئي وئي. ڪارڪردگي قومي قابليت جي تصديق ڪئي وئي ۽ کٽيل ڪاميابي مڪمل ڪئي وئي.
ھاڻي اسان 600A کان 3000A ۽ 1700V کان 6500V ۾ VCES رينج جي IC رينج جي سيريز پريس-پيڪ IGBT ٺاھي ۽ مهيا ڪري سگھون ٿا.چين ۾ ٺهيل پريس-پيڪ IGBT جو هڪ شاندار امڪان چين ۾ لاڳو ٿيڻ لاءِ لچڪدار ڊي سي ٽرانسميشن سسٽم تمام گهڻو متوقع آهي ۽ اهو تيز رفتار برقي ٽرين کانپوءِ چين جي پاور اليڪٽرانڪس انڊسٽري جو هڪ ٻيو عالمي سطح جو سنگ ميل بڻجي ويندو.
عام موڊ جو مختصر تعارف:
1. موڊ: پريس-پيڪ IGBT CSG07E1700
●پيڪنگنگ ۽ دٻائڻ کان پوء برقي خاصيتون
● ريورسمتوازيڳنڍيلتيز بحالي ڊيوڊنتيجو ڪيو
● پيرا ميٽر:
درجه بندي قيمت (25 ℃)
هڪڪليڪٽر ايمٽر وولٹیج: VGES = 1700 (V)
ب.گيٽ Emitter وولٹیج: VCES = ± 20 (V)
ج.ڪليڪٽر موجوده: IC = 800 (A) ICP = 1600 (A)
ڊي.ڪليڪٽر پاور ڊسڪشن: PC = 4440 (W)
e.ڪم ڪندڙ جنڪشن جي درجه حرارت: Tj = 20 ~ 125 ℃
f.اسٽوريج جي درجه حرارت: Tstg = 40 ~ 125 ℃
نوٽ: ڊوائيس خراب ٿي ويندي جيڪڏهن درجه بندي قيمت کان وڌيڪ
برقيCحيرت انگيزTC＝125℃، Rth (حرارتي مزاحمت جيسنگم ڏانهنڪيس)شامل نه آهي
هڪگيٽ لڪيج موجوده: IGES = ± 5 (μA)
ب.ڪليڪٽر ايميٽر بلاڪنگ موجوده ICES = 250 (mA)
ج.ڪليڪٽر Emitter Saturation وولٹیج: VCE(sat) = 6(V)
ڊي.گيٽ ايميٽر حد وولٹیج: VGE (th) = 10 (V)
e.وقت تي موڙ: ٽون = 2.5μs
f.بند ڪرڻ جو وقت: Toff = 3μs
2. موڊ: پريس-پيڪ IGBT CSG10F2500
●پيڪنگنگ ۽ دٻائڻ کان پوء برقي خاصيتون
● ريورسمتوازيڳنڍيلتيز بحالي ڊيوڊنتيجو ڪيو
● پيرا ميٽر:
درجه بندي قيمت (25 ℃)
هڪڪليڪٽر ايمٽر وولٽيج: VGES = 2500 (V)
ب.گيٽ Emitter وولٹیج: VCES = ± 20 (V)
ج.ڪليڪٽر موجوده: IC = 600 (A) ICP = 2000 (A)
ڊي.ڪليڪٽر پاور ڊسڪشن: PC = 4800 (W)
e.ڪم ڪندڙ جنڪشن جي درجه حرارت: Tj = 40 ~ 125 ℃
f.اسٽوريج جي درجه حرارت: Tstg = 40 ~ 125 ℃
نوٽ: ڊوائيس خراب ٿي ويندي جيڪڏهن درجه بندي قيمت کان وڌيڪ
برقيCحيرت انگيزTC＝125℃، Rth (حرارتي مزاحمت جيسنگم ڏانهنڪيس)شامل نه آهي
هڪگيٽ لڪيج موجوده: IGES = ± 15 (μA)
ب.ڪليڪٽر ايميٽر بلاڪنگ موجوده ICES = 25 (mA)
ج.ڪليڪٽر Emitter Saturation وولٹیج: VCE (sat) = 3.2 (V)
ڊي.گيٽ ايميٽر حد وولٹیج: VGE (th) = 6.3 (V)
e.موڙ تي وقت: ٽون = 3.2μs
f.بند ڪرڻ جو وقت: Toff = 9.8μs
جي.ڊيوڊ فارورڊ وولٽيج: VF = 3.2 V
ايڇ.ڊيوڊ ريورس وصولي وقت: Trr = 1.0 μs
3. موڊ: پريس-پيڪ IGBT CSG10F4500
●پيڪنگنگ ۽ دٻائڻ کان پوء برقي خاصيتون
● ريورسمتوازيڳنڍيلتيز بحالي ڊيوڊنتيجو ڪيو
● پيرا ميٽر:
درجه بندي قيمت (25 ℃)
هڪڪليڪٽر ايمٽر وولٽيج: VGES = 4500 (V)
ب.گيٽ Emitter وولٹیج: VCES = ± 20 (V)
ج.ڪليڪٽر موجوده: IC = 600 (A) ICP = 2000 (A)
ڊي.ڪليڪٽر پاور ڊسڪشن: PC = 7700 (W)
e.ڪم ڪندڙ جنڪشن جي درجه حرارت: Tj = 40 ~ 125 ℃
f.اسٽوريج جي درجه حرارت: Tstg = 40 ~ 125 ℃
نوٽ: ڊوائيس خراب ٿي ويندي جيڪڏهن درجه بندي قيمت کان وڌيڪ
برقيCحيرت انگيزTC＝125℃، Rth (حرارتي مزاحمت جيسنگم ڏانهنڪيس)شامل نه آهي
هڪگيٽ لڪيج موجوده: IGES = ± 15 (μA)
ب.ڪليڪٽر ايميٽر بلاڪنگ موجوده ICES = 50 (mA)
ج.ڪليڪٽر Emitter Saturation وولٹیج: VCE (sat) = 3.9 (V)
ڊي.گيٽ ايميٽر حد وولٹیج: VGE (th) = 5.2 (V)
e.وقت تي موڙ: ٽون = 5.5μs
f.بند ڪرڻ جو وقت: Toff = 5.5μs
جي.ڊيوڊ فارورڊ وولٽيج: VF = 3.8 V
ايڇ.ڊيوڊ ريورس وصولي وقت: Trr = 2.0 μs
نوٽ:پريس-پيڪ IGBT ڊگھي مدت ۾ اعلي ميڪيڪل اعتبار، نقصان جي اعلي مزاحمت ۽ پريس ڪنيڪشن جي جوڙجڪ جي خاصيتن ۾ فائدو آهي، سيريز ڊيوائس ۾ ملازمت ڪرڻ لاء آسان آهي، ۽ روايتي GTO thyristor جي مقابلي ۾، IGBT وولٹیج ڊرائيو طريقو آهي. .تنهن ڪري، ان کي هلائڻ لاء آسان آهي، محفوظ ۽ وسيع آپريٽنگ رينج.